Magnetron raspršivanje premaz je nova metoda fizičke prevlake parom, u poređenju sa ranijom metodom premaza evaporacijom, njegove prednosti u mnogim aspektima su prilično značajne.Kao zrela tehnologija, magnetronsko raspršivanje se primjenjuje u mnogim poljima.
Princip magnetronskog raspršivanja:
Ortogonalno magnetno polje i električno polje dodaju se između raspršenog ciljnog pola (katode) i anode, a potrebni inertni gas (obično Ar gas) se puni u komoru visokog vakuuma.Trajni magnet formira magnetno polje od 250-350 gausa na površini ciljanog materijala, a ortogonalno elektromagnetno polje je sastavljeno od električnog polja visokog napona.Pod dejstvom električnog polja, jonizacija gasa Ar u pozitivne ione i elektrone, cilja i ima određeni negativni pritisak, od mete sa pola dejstvom magnetnog polja i povećanja verovatnoće jonizacije radnog gasa, formira plazmu visoke gustine u blizini katoda, Ar ion pod djelovanjem Lorentzove sile, ubrzava da leti do površine mete, bombardira površinu cilja velikom brzinom, Raspršeni atomi na meti slijede princip konverzije momenta i odlijeću od površine mete velikom kinetičkom energije za film za taloženje supstrata.
Magnetronsko raspršivanje se općenito dijeli na dvije vrste: DC raspršivanje i RF raspršivanje.Princip DC opreme za raspršivanje je jednostavan, a brzina je brza kod prskanja metala.Upotreba RF raspršivanja je opsežnija, pored raspršivanja provodnih materijala, ali i raspršivanja neprovodnih materijala, ali i reaktivnog raspršivanja preparata oksida, nitrida i karbida i drugih složenih materijala.Ako se frekvencija RF poveća, to postaje raspršivanje mikrovalne plazme.Trenutno se najčešće koristi mikrotalasna plazma raspršivanje tipa elektronske ciklotronske rezonancije (ECR).
Ciljni materijal za oblaganje magnetronskim raspršivanjem:
Ciljni materijal za raspršivanje metala, materijal za oblaganje legure za prevlačenje, materijal za oblaganje keramičkim raspršivanjem, ciljni materijali za boridnu keramiku, ciljni materijal za raspršivanje karbidne keramike, ciljni materijal za raspršivanje fluorida keramike, ciljni materijali za nitridne keramičke raspršivanje, oksidni keramički ciljni materijal za raspršivanje, keramički ciljni materijal za oksid selentera silicidni keramički ciljni materijali za raspršivanje, sulfidni keramički ciljni materijal za raspršivanje, Telurid keramički cilj za raspršivanje, druge keramičke mete, keramička meta sa silicijum oksidom dopiranom hromom (CR-SiO), meta indijum fosfida (InP), meta olovo-arsenid (PbAs) cilj (InAs).
Vrijeme objave: 03.08.2022