Džinovski elektro-optički efekat u Ge/SiGe spregnutim kvantnim bunarima

Fotonika bazirana na silikonu trenutno se smatra sljedećom generacijom fotoničke platforme za ugrađene komunikacije.Međutim, razvoj kompaktnih optičkih modulatora male snage ostaje izazov.Ovdje izvještavamo o ogromnom elektro-optičkom efektu u Ge/SiGe spregnutim kvantnim bunarima.Ovaj obećavajući efekat zasniva se na anomalnom kvantnom Starkovom efektu zbog odvojenog zatvaranja elektrona i rupa u spregnutim Ge/SiGe kvantnim jamama.Ovaj fenomen se može koristiti za značajno poboljšanje performansi svetlosnih modulatora u poređenju sa standardnim pristupima koji su do sada razvijeni u silicijumskoj fotonici.Izmjerili smo promjene indeksa prelamanja do 2,3 × 10-3 pri prednaponu od 1,5 V uz odgovarajuću modulacijsku efikasnost VπLπ od 0,046 Vcm.Ova demonstracija otvara put za razvoj efikasnih brzih faznih modulatora zasnovanih na Ge/SiGe materijalnim sistemima.